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2016 年 10 月 24 日，佛山市國星光電股份有限公司(以下簡稱“公司”)第四屆董事會第二次會議審議通過了《關于投資美國 RaySent 科技公司進行 LED 大功率芯片研發的議案》。
2016 年 12 月 13 日，國星與美國 RaySent 科技公司(RaySent Technologies, Inc.)(以下稱“RaySent 科技”)簽署增資協議，公司以自有資金 1,100 萬美元增資 RaySent 科技，投資完成后，RaySent 科技成為公司的控股子公司。
目前，本次投資事項已取得廣東省商務廳核準并予以頒發《企業境外投資證書》，其余境外投資的核準及報備文件，由公司董事會授權專人負責辦理后續具體事宜。
據了解，RaySent 科技主要研發、生產、銷售 LED 外延、芯片、器件及 LED 照明產品，以及其他半導體類相關器件及產品，提供售后服務，技術支持，相關工程和服務。
2016 年，擁有硅襯底大功率 LED 芯片及相關專有技術的主要核心團隊成員在美國成立 RaySent 科技，其所具有的知識產權及專有技術涵蓋了外延生長、芯片制造、封裝等 LED 生產過程的全部環節。
通過本次合作， RaySent 科技將獨有的硅襯底 GaN 外延技術及垂直結構 LED 及其衍生結構的知識產權授權給公司及子公司，并通過公司及子公司實現產業化生產。上述技術合作順利實施后， RaySent 科技將獨立開拓市場，同時繼續致力于開發其他基于硅襯底的第三代半導體相關技術與產品。
毋庸置疑， RaySent 科技硅襯底大功率 LED 芯片及相關專有技術具有高技術性和商業價值。
不可否認，硅襯底擁有晶體尺寸大、成本低、易加工、熱導率高和熱穩定性好等優點，可大幅降低 LED 芯片的造價，有利于 LED 器件的小型化和高電流密度化發展。同時，可期待薄膜結構的硅基 GaN LED 芯片有更高的良率和更好的器件可靠性。
此次之外，RaySent 科技核心團隊成員均有著二十年以上豐富的工作經驗和產業發展經驗。
RaySent 科技團隊長期研究及優化的薄膜結構 LED 芯片適用范圍廣，且相關芯片產品普遍利潤率較高，將有助于公司規避同質化競爭，打造具有核心競爭力的新產品投放市場，可實現公司短時間、低成本地提高現有產品性能和規模化生產之目標。
國星光電表示，公司致力成為全面發展的 LED 企業，本次合作是公司加快國際化進程及推進全球化戰略實施的重要一步，也是落實創新戰略的重要部署，有助于公司提升上游技術實力，促進公司上中下游產業鏈均衡做大做強做優，形成優勢競爭格局;另一方面，隨著 RaySent 科技的發展，公司可展望實現較好投資盈利預期，增強業務擴張能力，提升公司的產業地位、綜合實力及新領域開拓能力。
