中鎵半導體的嘗試
編輯：JACK [ 2009-12-30 9:53:39 ] 文章來源：南方日報
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中鎵半導體的嘗試
東莞市中鎵半導體科技有限公司決定放手一搏。這家由光大集團旗下聚民信息科技和北京大學寬禁帶半導體研究中心聯合組建的公司，去年落子企石鎮，目標鎖定LED核心領域襯底、外延片和相關精密加工設備。
傳統的工藝制備中，外延片在藍寶石、碳化硅或硅的基底上生長出來，然后再切割、打磨成LED芯片。但中鎵半導體另外選擇了在氮化鎵襯底上長出外延片的路徑，這條路一旦走通，可以生產出更優質的外延片。今年，中鎵收購一家韓國公司并吸收其技術，斥資4000多萬元從德國愛思強(Aixtron)進口兩臺用于外延片制備的MOCVD(金屬有機物化學氣相沉積)設備。
在11月3日出臺的《方案》中，中鎵氮化鎵(GaN)基襯底材料產業化項目被寄予技術攻關和完善產業鏈的厚望。
目前，該公司已建好襯底材料的生產線并即將投入生產。中鎵公司的主攻方向是LED最前沿的襯底材料。目前的LED外延片多是在藍寶石、碳化硅的基底上生長出來，但中鎵公司則獨創出在氮化鎵襯底上長出外延片的技術。
“氮化鎵襯底材料有三高———技術高、難度高、價格高，因此可以帶來更高的利潤率，并且前景看好。”中鎵公司的高級工程師孫永健說，在生產氮化鎵襯底材料的同時，為了在價格和性能上取得平衡，中鎵公司還研制出復合襯底材料，“這是一個折中的辦法，價格要比氮化鎵襯底低，但是技術原理相似，性能也比目前市場上的襯底材料要好很多。”
主攻LED上游環節技術的公司在東莞乃至珠三角并不多見，而類似中鎵擁有襯底材料領先技術的公司在全國都寥寥無幾。“中國LED產業發展的趨勢，必定是由下游環節的生產向上游環節轉移，中鎵在這方面已經走在了最前面。”孫永健說，這正是中鎵主攻襯底材料的原因。
“技術就是王道，有了技術自然就擁有市場。”中鎵公司的市場營銷部經理王光普說，中鎵對于產品的市場前景并不擔憂，“氮化鎵襯底技術尚未應用生產時，通過技術人員在國內外學術會議上的展示，已經在業界樹立了口碑，一旦投入生產，尋找買家是很容易的事。”
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