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在上海最新的一場發布會上，OSRAM揭露了一項最新的白光LED技術。與生長n型和P型外延層然后在通過蝕刻的方式實現電路的傳統的芯片生長方式不同的是，新的3D芯片是在襯底上首先生長n型的GaN摻雜層，然后覆蓋掩膜，在特定的區域生產N型的微米棒，使得外延具有納米層級的3D結構，最后再生長一層包敷在外面的P型GaN殼。

這樣的結構可以大大增加發光層的面積，提高光效率，并降低成本。