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近日，藍光LED發明人、美國加州大學圣塔芭芭拉分校(UCSB)工程學院材料系中村修二（Shuji Nakamura）教授來訪中科院上海微系統所并作了學術報告。
中村修二教授的報告題目名為“Recent Advances in Nonpolar and Semipolar GaN for Blue and Green Laser Diodes and LEDs”。報告中，中村修二教授介紹了近期其團隊在基于非極化和半極化GaN的藍/綠光激光二極管和LED方面的研究工作及成果。中村修二教授及其團隊利用該技術制作出超高亮度激光二極管和LED，未來在高亮度照明、激光顯示等應用上具有廣闊前景。
