|
||||
|
||||
 |
按照慣例，2015年度國家科學技術獎將于本月（2016年1月）在人民大會堂舉行頒獎大會。目前，2016年度國家科學技術獎候選項目推薦工作也已經啟動，“低熱阻高光效大功率LED封裝優化技術及應用”項目被國家工信部推薦為2016年度國家科學技術獎候選項目。此次進入候選是LED技術項目連續第3年沖刺國家科學技術獎，期待LED封裝技術首次榮登大榜單。
在2015年1月舉行的國家科學技術獎頒獎大會上，中國科學院半導體所“低熱阻高光效藍寶石基GaN LED材料外延及芯片技術”項目榮獲2014年度國家科學技術獎技術發明二等獎。該項目歷經十余年自主攻關，在半導體照明基礎材料、新型器件集成技術方面取得一系列重大原創性技術發明：國際首創新型復合光學膜結構及制備技術，國際首創金屬復合襯底結構，首次在納米圖形襯底上外延出高質量高鋁組分氮化物材料，主要發明點均為國際首創，器件發光效率超過160 lm/W，經查新及鑒定為國際最好水平。
本月（2016年1月）即將舉行的2015年度國家科學技術獎頒獎大會，預料“硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管”項目獲得技術發明一等獎。根據國家科技部在2015年6月公示的初評結果，該項目是技術發明獎唯一入選的一等獎。該項目由南昌大學牽頭，團隊帶頭人是江風益（南昌大學副校長、曾任晶能光電董事長總裁），晶能光電（江西）有限公司、中節能晶和照明有限公司名列獲獎人。據悉，硅襯底技術是我國擁有自主知識產權的技術路線，可以構建中國完全自主的LED產業。有產業經濟學家表示，在成本持續下降的背景下，硅襯底技術若能獲得資本大力追捧，LED產業格局有望被重塑。前幾天，晶能光電副總裁陳振表示，晶能光電計劃2016年投資5億美元，擴充100臺MOCVD產能。
LED技術項目屬于技術發明類獎項。而國家科學技術獎包括5個獎項：國家最高科學技術獎、國家自然科學獎、國家技術發明獎、國家科學技術進步獎、中華人民共和國國際科學技術合作獎。從公布的初評結果可預判，若本次自然科學一等獎終有得主，該榮譽將花落“多光子糾纏干涉度量學”項目，該項目將量子保密通信技術帶入現實應用。最受矚目的是國家最高科學技術獎，歷來只授予個人，每年授予人數不超過2名。
“低熱阻高光效大功率LED封裝優化技術及應用”項目，近日已被國家工信部公示為2016年度國家科學技術獎推薦候選項目，公示截止日2016年1月11日。該項目由華中科技大學、武漢大學牽頭，團隊帶頭人劉勝（武漢大學動力與機械學院院長、華中科技大學微系統研究中心主任），深圳市瑞豐光電子股份有限公司、廣東昭信企業集團有限公司名列主要完成單位。該項目上個月（2015年12月）被國家教育部評為2015年度高等學校科學研究優秀成果技術發明獎一等獎，當時授獎項目名稱是“大功率LED封裝及應用的關鍵技術研究”，項目單位是華中科技大學。
據查詢，具備國家科學技術獎推薦資格的單位和專家包括：國務院組成部門、直屬機構、直屬事業單位，各省、自治區、直轄市、新疆生產建設兵團、特別行政區、計劃單列市，國務院部委管理的國家局、大型行業協會學會、大型企業等上述的科學技術主管部門；國家最高科學技術獎獲獎人、中國科學院院士、中國工程院院士、國家自然科學獎獲獎項目第一完成人。
國家科學技術獎的授予有助于提振LED業界的信心。LED技術項目屢屢斬獲國家科學技術獎并且名列前茅，表明LED技術仍然有研究價值，LED產業仍然有良好前景。另外，值得一提的是，清華大學“石墨烯的電分析化學和生物分析化學研究”項目也即將獲得2015年度國家科學技術獎自然科學二等獎。
