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英國普萊塞半導體（PlesseySemiconductors）宣布推出其基于硅基氮化鉀制造平臺的產品。新產品在420mA的條件下可以提供350mW的輻射功率。
早在今年4月，普萊思就宣布將推出可論證硅基氮化鎵技術的PL111010LED產品，這些新型LED產品可通過高達1A的連續電流和2A的脈沖電流進行驅動。新產品的功率也高于此前普萊塞的硅基LED設備，可用于一般的固態照明領域。
雖然目前尚無法得知普萊思為何僅推出此新型LED設計的藍色版本，可以肯定的是該設備可用于遠程磷光體應用。435–460nm主波長范圍類似于主要LED制造商針對遠程SSL產品推出的寶藍色LED；該公司并未表示接下來是否會推出此新型LED的白色磷光體轉換版本。
GaN-on-Si的魅力在于，利用更低廉、普遍可用的硅晶片和自動化后端制造工具，可以生產出成本更低的LED。
普萊塞首席運營官巴里·丹寧頓（BarryDennington）表示，“新型350mW產品驗證了我們在集成電路生產線上制造6英寸硅基氮化鎵LED的固有靈活性。我們的產品在輸出效率上取得了持續改進，未來我們將推出更多更優質的新產品”。
