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Cree目前推出業界首個商業化碳化硅(SiC)六只裝功率模塊（采用業界標準的45-mm包裝）。如果取代同等額定值的硅模塊，Cree的六只裝模塊可以降低75%的功率耗損，從而可以直接縮小散熱片70%的體積或提高50%的功率密度。新型六只裝SiC模塊可以消除傳統的設計限制（功率密度、效率和成本），允許設計人員設計出高性能、低成本且更可靠的功率轉換系統。與最先進的硅模塊相比，這一SiC1.2千伏、50安模塊可以提供與150安硅模塊同等的性能。
Yaskawa America公司研究與應用經理JunKang博士表示：“與硅IGBT（絕緣柵門極晶體管）相比，SiC模塊的有效轉換可以大大減少降額，從而大幅提高工作頻率，同時提高基本輸出頻率和減少電動機的無源組件尺寸”。
Cree功率和RF產品營銷經理Mrinal Das解釋道：“Cree的SiC功率模塊系列還可以為太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和工業電源等應用帶來極大益處。即使設計人員只是在電動機中用SiC取代硅模塊，SiC的增強性能也可以降低功率耗損和冷卻要求，從而降低動力電子設備系統的尺寸、重量、復雜性和總成本”。
來自Cree的CCS050M12CM2六只裝模塊現可通過Digi-KeyCorporation公司和MouserElectronics公司訂購。適用于SiCMOSFET的柵極驅動器IC可通過IXYS公司和德州儀器(Texas Instruments)公司訂購。Cree也可提供完整的柵極驅動器板(CRD-001)樣品。
